随着科技不断的发展，全球竞争已经不仅仅在于军事和经济，更多的战火波及到了科技领域，尤其是在美国对华为制裁的事件不断升级的情况下，芯片的关注度也越来越高。最近有很多自媒体人为了追求流量都在传播“5nm光刻 ...
| 随着科技不断的发展，全球竞争已经不仅仅在于军事和经济，更多的战火波及到了科技领域，尤其是在美国对华为制裁的事件不断升级的情况下，芯片的关注度也越来越高。最近有很多自媒体人为了追求流量都在传播“5nm光刻技术获得重大突破”的传闻，但是事实是什么呢？我们一起来看一下吧。 我国科技企业已经实现弯道超车，但是芯片仍是短板 在国家和各行各业的重视下，我国在科技方面尤其在互联网和通信领域实现了完美的弯道超车，但是芯片产业却摆脱不了需要大量进口的处境。 近年来，我国集成电路发展非常迅速，人工智能、智能制造、汽车电子、物联网、5G等为代表的新兴产业快速崛起，集成电路是我国信息技术发展的核心，但是根据相关媒体报道称，2019年中国集成电路进口数量为4451.34亿个，同比增长6.6%；2018年中国集成电路进口数量为4175.67亿个，同比增长10.8%。在进口金额方面，2019年中国集成电路进口金额为3055.5亿美元，同比下降2.1%。 在华为事件出现之后，越来越多的企业和国人意识到，自研芯片的重要性，芯片实现国产化也迫在眉睫，因此我们现在迫切需要有自主制造芯片的能力。 我国芯片设计已经能自主，但是生产制造仍是短板 根据很多媒体的报道，我们可以看到华为海思、紫光展锐等科技企业已经能够实现芯片架构的自主设计，但是对于芯片制造领域，我国暂时没有企业可以代替台积电的地位。尽管中芯国际已经可以生产14nm制程工艺，但是这无法和台积电相媲美。因此，如过想彻底摆脱国外的威胁，这条路仍旧是任重道远。 那么我国什么时候才可以突破5nm技术呢 根据媒体在近日的报道，中国权威机构中科院苏州研究所已经研发成功了新型5nm高精度的激光光刻技术，标志着我国的5nm光刻技术取得了重大进展。根据相关报道称，这项技术和ASML的EUV极紫外光刻完全不同。 很多自媒体人报道称，中国5nm技术突破，比肩ASML指日可待！我不太认同这点，要知道技术从理论到实际商业生产制造，短则需要几年，多的就遥遥无期了。 结语 虽然我国短时间无法到达国际顶尖水平，但是相信在华为等科技企业共同努力下，会大大缩短这个时间！ @知热点 优质科技领域创作者 月初一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了，在很多无良自媒体的口中这则新闻完全变了味，给人的感觉像是中国不久将会拥有自己的5nm光刻机，其实真实情况完全不是一回事。下面我们就来谈谈这则新闻真实的内容到底是什么，以及中国光刻机5nm生产技术还要多久才能取得突破。 中科院5nm的光刻技术和光刻机关系不大 其实“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻来源是在中科院网站上的一篇论文，文章的主要内容其实是讲微纳加工领域里的一个进展，中心思想是超高精度的无掩模的激光直接刻写。 由于文章中采用了一个叫“lighography”的词，这个直接翻译过来就是光刻的意思。再加上5nm这个数值，很容易让人联想到的是中科院在5nm的光刻机上取得突破。由于一些自媒体翻译错误以及想要煽动公众情绪获取大量的流量，于是这个错误的新闻就得到了大量的传播转发，进而误导了不少关心中国光刻机发展的朋友。 论文和完全商用是两码事 其实就算论文讲的真是在光刻机领域取得的突破，但是想要完全商用并不容易。 前段时间“碳基芯片”这个概念也上了一阵子热搜，碳基芯片具有成本更低、功耗更小、效率更高等优点，并且在未来可能用于我们的手机或者电脑的芯片方面。为什么热度没有能够持续下去？最主要的原因还是因为它的商用遥遥无期。 碳基芯片现在还是停留在实验室阶段，想要完全商用最起码要二十年以上，这就注定了它和现在主流的硅基芯片没有任何的竞争力。同理就算中科院的论文讲的是5nm光刻机技术，想要完全实现商用不知道还要多久。 中国和荷兰ASML的差距最起码也在十年以上 现在国内最好的光刻机生产企业应该是上海微电子，目前生产的最好光刻机也只是90nm的制程。尽管有传言说上海微电子明年将会推出28nm的全新光刻机，但是和ASML的EUV光刻机精度依旧相差甚远。 中国想要生产5nm的光刻机有一个最大的难点，就是自主研发。这不光意味着我们需要跨越从28nm到5nm这个巨大的障碍，并且在突破的过程中最好不要使用其他国家的专利，只能发展出一条属于自己的光刻机道路。需要达成这么多的条件，研发的难度可想而知。 总的来说短时间内我国的光刻机技术取得重大突破的概率为0，还是要被人牵着鼻子走。落后就要被挨打卡脖子在任何时候都是真理，只希望我们国家的科研人员能够迎头赶上，尽快取得突破吧。 @二愣子大叔 优质科技领域创作者 国内芯片制造技术距离5nm制程工艺还有很长的时间要走，最快也需要3-5年的时间，目前国内最优秀的芯片制造企业中芯国际，能够批量化代工生产的制程工艺也就只是14nm，距离5nm至少还差三代。 国内芯片制造技术现状 中芯国际目前是国内掌握最先进制程工艺的企业，14nm制程工艺已经非常成熟，可以大规模批量化生产。目前中芯国际正在向更先进的制程工艺迈进，提出了N+1、N+2工艺。N+1工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％，之后的N+2工艺在各方面的表现会比N+1更好。 据相关人士透露，中芯国际的N+1工艺和台积电第一代7nm工艺（未采用EUV光刻机）相差无几，只不过在性能的提升上稍有欠缺，N+2工艺和台积电7nm+基本持平。此外中芯国际的N+1工艺预计在今年的第四季度批量化生产，这样一来我国距离5nm制程工艺又近了一步。 光刻机的困境 目前国内最先进的光刻机制造公司上海微电子也仅仅只能生产出90nm的光刻机，虽然有媒体称，上海微电子已经成功突破光刻机瓶颈，从90nm跨越到了28nm，2021年实现量产，但这相较于荷兰ASML公司的5nm的光刻机还是存在着很大差距。而中芯国际从荷兰ASML购买的光刻机，由于他国干预导致已经拖延两年的时间了，还是迟迟不给交付。 虽然中芯国际的N+1、N+2工艺无需EUV光刻机就能生产，但是后面的5nm、3nm是必须要有EUV光刻机的。如果中芯国际无法从荷兰ASML购买到EUV光刻机，那5nm制程工艺的实现就要难于登天了，3nm制程工艺就更不用想了。 综上所述，国内5nm制程工艺的突破，不仅自身的技术方案能够支持，更重要的是EUV光刻机这个重要的生产工具，两者缺一不可。 |
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